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科学研究

方国勇课题组在原子层沉积(ALD)理论研究方面取得系列研究进展

发布时间:2016-04-26 来源: 编辑: 点击[点击关闭]

原子层沉积(Atomic Layer DepositionALD)因在原子尺度精确控制纳米材料合成中的应用而成为纳米技术的热点。作为原子层沉积的重要研究方向之一,理论计算与模拟对于ALD前驱体的设计、揭示ALD生长机理等方面具有重要意义。近年来,方国勇课题组系统研究了二氧化硅(SiO2)的ALD生长机理,取得了系列成果,在Chem. Mater.NanoscaleChem. Commun.J. Phys. Chem. C等期刊上发表了相关论文,受邀撰写了《Atomic Layer Deposition (ALD): Fundamentals, Characteristics and Industrial Applications》和《原子层沉积技术——原理及其应用ALD专著的理论研究章节。

Lewis碱催化的SiO2室温原子层沉积(RT-ALD)中,发现了表面上存在一种赝旋转现象,命名为表面赝旋转(Surface PseudorotationSPR)(J. Phys. Chem. C, 2012, 116, 26436-26448)。在Lewis酸催化的SiO2快速原子层沉积(RALD)中,发现了Lewis/Brønsted酸位点与界面相互作用的协同催化作用机理(Nanoscale, 2013, 5, 11856-11869。在SiO2等离子体增强原子层沉积(PEALD)中,提出了氨基硅烷的自催化(Self-catalysis)和氧等离子体的强表面氧化(Strong Surface Oxidation)机理Chem. Commun., 2015, 51, 1341-1344)。最近,这些SiO2 ALD的理论研究以综述的形式发表在Chem. Mater.2016, 28, 1247-1255)上



    上述研究工作得到了国家自然科学基金(
51571111)、浙江省自然科学基金(LY13B030005)和浙江省化学重中之重学科的资助。